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cert_exam:electrical_chief_engineer_3:theory:electronic_theory:electric_device

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電子デバイス

H30-11, H28-11

ダイオード

アノード(陽極,anode)からカソード(陰極,cathode)に電流が流れる (電子はカソードからアノードに流れる)

サイリスタ

P型半導体と,N型半導体の4層からなる3端子のデバイス。

半導体

  • 導電率は,導体 > 不純物半導体 > 真性半導体 > 絶縁体
  • P型半導体は,シリコン(荷電子4)の真性半導体に荷電子が3個の原子を不純物として混合させて作る
  • N型半導体は,シリコン(荷電子4)の真性半導体に荷電子が5個の原子を不純物として混合させて作る
  • 半導体に外部からエネルギーを加えると電流が流れる。(熱を加えると,電子が移動しやすくなり,抵抗が下がる)
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