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cert_exam:electrical_chief_engineer_3:theory:electronic_theory:electric_device
電子デバイス
H30-11, H28-11
半導体
- 導電率は，導体 > 不純物半導体 > 真性半導体 > 絶縁体
- P型半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に荷電子が3個の原子を不純物として混合させて作る
- N型半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に荷電子が5個の原子を不純物として混合させて作る
- 半導体に外部からエネルギーを加えると電流が流れる。(熱を加えると，電子が移動しやすくなり，抵抗が下がる)
ダイオード
アノード(陽極,anode)からカソード(陰極,cathode)に電流が流れる (電子はカソードからアノードに流れる)
サイリスタ
P型半導体と，N型半導体の4層からなる3端子のデバイス。
レーザーダイオード
順方向に電圧をかけると，活性層で，電子と正孔が結合して，光が生じ， 活性層の境界面の鏡の間で，反射を繰り返し，均一な光を放つようになる。 これを誘導放出という。
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