電子デバイス

H30-11, H28-11

• 導電率は，導体 > 不純物半導体 > 真性半導体 > 絶縁体
• P型半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に荷電子が3個の原子を不純物として混合させて作る
• N型半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に荷電子が5個の原子を不純物として混合させて作る
• 半導体に外部からエネルギーを加えると電流が流れる。(熱を加えると，電子が移動しやすくなり，抵抗が下がる)

アノード(陽極,anode)からカソード(陰極,cathode)に電流が流れる (電子はカソードからアノードに流れる)

P型半導体と，N型半導体の4層からなる3端子のデバイス。

順方向に電圧をかけると，活性層で，電子と正孔が結合して，光が生じ， 活性層の境界面の鏡の間で，反射を繰り返し，均一な光を放つようになる。 これを誘導放出という。