====== 電子デバイス ======
H30-11, 
H28-11

==== 半導体 ====
  * 導電率は，導体 > 不純物半導体 > 真性半導体 > 絶縁体
  * <color red>P型</color>半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に<color red>荷電子が3個</color>の原子を不純物として混合させて作る
  * <color red>N型</color>半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に<color red>荷電子が5個</color>の原子を不純物として混合させて作る
  * 半導体に外部からエネルギーを加えると電流が流れる。(熱を加えると，電子が移動しやすくなり，抵抗が下がる)

==== ダイオード ====
アノード(陽極,anode)からカソード(陰極,cathode)に<color blue>電流</color>が流れる
(<color blue>電子</color>はカソードからアノードに流れる)

==== サイリスタ ====
P型半導体と，N型半導体の<color red>4層</color>からなる<color red>3端子</color>のデバイス。

==== レーザーダイオード ====

順方向に電圧をかけると，<color red>活性層</color>で，電子と正孔が結合して，光が生じ，
活性層の境界面の鏡の間で，反射を繰り返し，均一な光を放つようになる。
これを<color red>誘導放出</color>という。