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--- cert_exam:electrical_chief_engineer_3:theory:electronic_theory:electric_device [2020/08/09 17:18] – 作成 fu
+++ cert_exam:electrical_chief_engineer_3:theory:electronic_theory:electric_device [2020/08/10 16:03] (current) – fu
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 ====== 電子デバイス ======
-H30-11
+H30-11,
+H28-11
+==== 半導体 ====
+  * 導電率は，導体 > 不純物半導体 > 真性半導体 > 絶縁体
+  * <color red>P型</color>半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に<color red>荷電子が3個</color>の原子を不純物として混合させて作る
+  * <color red>N型</color>半導体は，シリコン(荷電子4)の真性半導体に<color red>荷電子が5個</color>の原子を不純物として混合させて作る
+  * 半導体に外部からエネルギーを加えると電流が流れる。(熱を加えると，電子が移動しやすくなり，抵抗が下がる)
 ==== ダイオード ====
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 P型半導体と，N型半導体の<color red>4層</color>からなる<color red>3端子</color>のデバイス。
+==== レーザーダイオード ====
+順方向に電圧をかけると，<color red>活性層</color>で，電子と正孔が結合して，光が生じ，
+活性層の境界面の鏡の間で，反射を繰り返し，均一な光を放つようになる。
+これを<color red>誘導放出</color>という。